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美國發(fā)現(xiàn)新型二維半導體材料

2016年3月10日 來源：防爆云平臺--防爆產(chǎn)業(yè)鏈一站式O2O服務平臺 防爆電氣、防爆電機、防爆通訊、防爆空調(diào) 瀏覽 2269 次 評論 0 次
　　近日，美國猶他大學發(fā)現(xiàn)一種新型二維半導體材料一氧化錫。據(jù)了解，該材料可用于制備計算機處理器和圖形處理器等電子設備內(nèi)的晶體管，有助于研制出運行速度更快、更加節(jié)約能源的智能手機和計算機等電子設備。
　　
　　當前，電子設備內(nèi)晶體管的玻璃基板由許多層三維材料構成，如硅材料。其弊端在于當電子通過時，會在所有層內(nèi)不受控制地四處彈跳。而新發(fā)現(xiàn)的一氧化錫材料屬于二維半導體材料，玻璃基板只有一層，且間隙只有一兩個原子的厚度，電子只能在這一層中通過。因此，產(chǎn)生的摩擦更少，電子的移動速度變得更快。
　　
　　二維半導體材料近5年成為科學研究熱點，盡管石墨烯、二硫化鉬等多種二維材料已被發(fā)現(xiàn)，但這些二維半導體材料只允許帶負電荷的電子通過，即N型半導體。而用于制造電子設備晶體管的半導體材料，既需要允許帶負電荷的電子通過，也需要帶正電荷的粒子通過，即P型半導體。新發(fā)現(xiàn)的一氧化錫是有史以來第一種穩(wěn)定的P型二維半導體材料。
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